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          KRI考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積MoN薄膜

          起訂量: 面議
          價(jià) 格: 面議
          供貨總量: 面議
          發(fā)貨期限: 自買(mǎi)家付款之日起 3 天內發(fā)貨
          所在地: 上海
          有效期至: 長(cháng)期有效
          最后更新: 2023-07-17 10:16
          關(guān)注人數: 614
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          伯東企業(yè)(上海)有限公司
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          MoN薄膜是一種具有潛在應用價(jià)值的薄膜材料, 但對于其結構和性能的研究還較少因此,廣州某研究機構采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  304 不銹鋼基體表面濺射沉積 MoN薄膜, 系統研究了 MoN 薄膜在不同摩擦條件下的摩擦磨損行為.

           

          伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數:

          離子源型號

          RFICP220

          Discharge

          RFICP 射頻

          離子束流

          >800 mA

          離子動(dòng)能

          100-1200 V

          柵極直徑

          20 cm Φ

          離子束

          聚焦,  平行,  散射

          流量

          10-40 sccm

          通氣

          Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

          典型壓力

          < 0.5m Torr

          長(cháng)度

          30 cm

          直徑

          41 cm

          中和器

          LFN 2000

          可選燈絲中和器可變長(cháng)度的增量

          KRI 射頻離子源 RFICP 220

           

          結果表明:

          偏壓顯著(zhù)影響直流磁控沉積的 MoN 薄膜的晶相結構、表面形貌、斷面結構、硬度和摩擦磨損性能;隨脈沖偏壓的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都**增大后減小, 而薄膜的磨損率卻**減小后增大, 其中 -500 V 脈沖偏壓下沉積的 MoN 薄膜具有**高硬度為 7731 N/mm~2, 以及**低的磨損率為 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m).  此外, MoN 薄膜在不同載荷和轉速的摩擦條件下表現出不同的摩擦學(xué)行為.
           

          KRI 離子源的**特功能實(shí)現了更好的性能增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現的.

           

          因此該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

           

          伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀,  質(zhì)譜儀,  真空計,  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國HVA 真空閥門(mén),  美國 inTEST 高低溫沖擊測試機,  美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

           

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