某半導體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積設備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動態沉積的方法--樣品臺離心旋轉的方式, 補償或改善圓形磁控靶在正對的基片上沿徑向的濺射沉積不均勻分布.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
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射頻離子源型號 |
RFICP380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
紅外器件金屬膜需要高均勻性的原因:
紅外器件幾乎都要進行表面鈍化和鍍制金屬膜, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關重要的作用, 而在背照式紅外探測器的光接收面, 往往都要涂鍍一層或數層介質膜, 以起到對器件進行保護和對紅外輻射減反射的作用, 介質膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬
KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
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