WS2 作為一種固體潤滑材料, 有著(zhù)類(lèi)似“三明治”層狀的六方晶體結構, 由于通過(guò)微弱范德華力結合的S—W—S層間距較大, 在發(fā)生摩擦行為時(shí)易于滑動(dòng)而達到**異的潤滑效果. WS2對金屬表面吸附力強, 且摩擦系數較低, 在高溫高壓、高真空、高輻射等嚴苛環(huán)境也能保持潤滑, 不易失效, 在航空航天**域有著(zhù)良好的發(fā)展前景.
河南某大學(xué)研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對磁控濺射 WS2 薄膜微觀(guān)結構、力學(xué)性能和摩擦學(xué)性能的影響.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數:
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射頻離子源型號
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RFICP380
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Discharge 陽(yáng)極
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射頻 RFICP
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離子束流
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>1500 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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柵極直徑
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長(cháng)度
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39 cm
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直徑
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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在磁控濺射沉積薄膜的實(shí)驗中, 工藝參數（如沉積壓力、沉積溫度、濺射功率等）對 WS2 薄膜的結構和性能影響很大. 為制備摩擦磨損性能**良的 WS2 薄膜, 需要系統研究磁控濺射沉積 WS2 薄膜的工藝方法.
磁控濺射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄氣體在低壓真空環(huán)境中發(fā)生輝光放電, 如果薄膜沉積時(shí)工作氣壓過(guò)低（<0.1 Pa）, 靶材不能正常起輝；沉積壓力過(guò)高（>10 Pa）, 真空室內等離子體密度高, 濺射粒子向基體運動(dòng)中發(fā)生碰撞多, 平均自由程減小, 以致無(wú)法到達基體表面進(jìn)行沉積.
因此, 合適的沉積壓力是磁控濺射沉積 WS2 薄膜的一個(gè)重要工藝參數.
KRI 離子源的**特功能實(shí)現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現的.
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