伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數:
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型號
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RFICP140
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>600 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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柵極直徑
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14 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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5-30 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長(cháng)度
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24.6 cm
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直徑
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24.6 cm
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中和器
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LFN 2000
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磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過(guò)控制調節鍍膜參數, 得到更加致密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學(xué)鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問(wèn)題, 從環(huán)境保護的角度來(lái)看, 磁控濺射較電鍍化學(xué)鍍更加綠色環(huán)保.
在釹鐵硼(NdFeB)磁體表面利用磁控濺射沉積不同錳含量的鋁錳合金薄膜. 磁控濺射制備的鋁錳合金薄膜表面光滑致密. 薄膜結構受到錳含量的影響, 當薄膜錳含量從6.80at%上升到25.78at%時(shí), 薄膜結構由晶態(tài)逐漸轉變?yōu)榉蔷B(tài), 達到 35.67%時(shí), 薄膜中析出金屬間化合物Al8Mn5. 鋁錳合金薄膜的耐腐蝕性能受薄膜成分變化的影響很大, 當薄膜中錳含量達到25.78% 時(shí), 此時(shí)薄膜呈非晶態(tài)結構, 薄膜的自腐蝕電流密度達到 1.198×10-7A/cm2, 比釹鐵硼基體降低了 2 個(gè)數量級,耐腐蝕性能**好.
KRI 離子源的**特功能實(shí)現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現的.
KRI 離子源是**域公認的**導者, 已獲得許多專(zhuān)利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過(guò)程中.
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