硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的核心材料越來(lái)越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問(wèn)題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及**良的光學(xué)穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏**域的研究熱點(diǎn).

采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數容易控制, 因此經(jīng)過(guò)伯東工程師推薦, 長(cháng)沙某大學(xué)實(shí)驗室課題租在研究微晶硅薄膜時(shí), 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積制備微晶硅薄膜.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數:

試驗結果:

在實(shí)驗中, 通過(guò)伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積的方法, 可以在玻璃襯底上制備出結晶良好的微晶硅薄膜.

KRI 離子源的**特功能實(shí)現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現的.

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