立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩定性/ 高的熱導率/ 在寬波長(cháng)范圍內(約從 200nm 開(kāi)始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點(diǎn), 在切削工具/ 耐磨材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和**緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.
在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數:
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型號
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RFICP140
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>600 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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柵極直徑
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14 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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5-30 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長(cháng)度
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24.6 cm
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直徑
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24.6 cm
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中和器
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LFN 2000
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該實(shí)驗中, 采用的是射頻濺射沉積的方法, 沉積基片為硅片, 熱壓的 hBN 作為靶材, 濺射氣體為 Ar 和N2 的混合氣體.
磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過(guò)控制調節鍍膜參數, 得到更加致密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學(xué)鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問(wèn)題, 從環(huán)境保護的角度來(lái)看, 磁控濺射較電鍍化學(xué)鍍更加綠色環(huán)保.
實(shí)驗結果:
采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜時(shí), 具有沉積的膜層顆粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工藝可控性好等特點(diǎn).
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