上海伯東某客戶(hù)在熱蒸發(fā)鍍膜機中配置美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過(guò)同時(shí)的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著(zhù)力, 純度, 應力, 工藝效率等.

離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設計為高度可調節, 客戶(hù)可根據不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯(lián)動(dòng)控制的蓋板, 在離子源剛啟動(dòng)時(shí)關(guān)閉蓋板, 待離子束流穩定后打開(kāi)蓋板, 對基片做預清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩定性和均勻性. 當工藝完成后可以技術(shù)關(guān)閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長(cháng)離子源使用壽命, 降低保養成本.


KRi 離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過(guò)向生長(cháng)的薄膜中添加能量來(lái)增強分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動(dòng)性, 從而導致薄膜的致密化.
通過(guò)向生長(cháng)薄膜中添加活性離子來(lái)增強薄膜化合物的化學(xué)轉化, 從而得到化學(xué)計量完整材料.

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 120 mA.

* 可選: 可調角度的支架

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無(wú)論是密度壓實(shí), 應力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著(zhù)力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

上海伯東同時(shí)提供熱蒸鍍機所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶(hù)生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設備.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng )立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專(zhuān)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域.

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