上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi 霍爾離子源可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號滿(mǎn)足科研及工業(yè), 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護, 安裝于各類(lèi)真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, load lock, 濺射系統, 分子束外延, 脈沖激光沉積等, 實(shí)現 IBAD 輔助鍍膜的工藝.

KRi 霍爾離子源特點(diǎn)

KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 典型案例:
設備: 美國進(jìn)口 e-beam 電子束蒸發(fā)系統
離子源型號: EH 400
應用: IBAD 輔助鍍膜, 通過(guò)向生長(cháng)的薄膜中添加能量來(lái)增強分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動(dòng)性, 從而導致薄膜的致密化或通過(guò)向生長(cháng)薄膜中添加活性離子來(lái)增強薄膜化合物的化學(xué)轉化, 從而得到化學(xué)計量完整材料.
離子源對工藝過(guò)程的**化: 無(wú)需加熱襯底, 對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡(jiǎn)化反應沉積.


通過(guò)使用美國 KRi 霍爾離子源可以實(shí)現
增強和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進(jìn), 控制薄膜化學(xué)計量, 提高折射率, 降低薄膜應力, 控制薄膜微觀(guān)結構和方向, 提高薄膜溫度和環(huán)境穩定性, 增加薄膜附著(zhù)力, 激活表面,平滑的薄膜界面和表面,降低薄膜吸收和散射,增加硬度和耐磨性.

美國  KRi 離子源適用于各類(lèi)沉積系統, 實(shí)現 IBAD 輔助鍍膜 (電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā), 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積)


美國 KRi 霍爾離子源 eH 系列在售型號:

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

上海伯東同時(shí)提供 e-beam 電子束蒸發(fā)系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶(hù)生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設備.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng )立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專(zhuān)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò )方式 :

上海伯東 : 羅**生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權所有, 翻拷必究!