KRI 離子源應用于超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter
上海伯東代理美國 KRI 離子源應用于超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter 實(shí)現高質(zhì)量薄膜!
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12托, 且在化學(xué), 物理和工程**域十分常見(jiàn). 超高真空環(huán)境對于科學(xué)研究非常重要, 因實(shí)驗通常要求在整個(gè)實(shí)驗的過(guò)程中, 表面應保持無(wú)污染狀態(tài)并可使用較低能量的電子和離子的實(shí)驗技術(shù)使用, 而不會(huì )受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環(huán)境下使用濺鍍系統以提供高質(zhì)量的薄膜.
針對超高真空和高溫加熱設計的基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷, 來(lái)保護機構以確保長(cháng)時(shí)間運轉的穩定.
通過(guò)使用上海伯東 KRI 離子源可實(shí)現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺部分可**立施打偏壓, 對其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著(zhù)性等功能.
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數:
|
型號
|
RFICP 40
|
RFICP 100
|
RFICP 140
|
RFICP 220
|
RFICP 380
|
|
Discharge 陽(yáng)極
|
RF 射頻
|
RF 射頻
|
RF 射頻
|
RF 射頻
|
RF 射頻
|
|
離子束流
|
>100 mA
|
>350 mA
|
>600 mA
|
>800 mA
|
>1500 mA
|
|
離子動(dòng)能
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
|
柵極直徑
|
4 cm Φ
|
10 cm Φ
|
14 cm Φ
|
20 cm Φ
|
30 cm Φ
|
|
離子束
|
聚焦, 平行, 散射
|
|
|
流量
|
3-10 sccm
|
5-30 sccm
|
5-30 sccm
|
10-40 sccm
|
15-50 sccm
|
|
通氣
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型壓力
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
|
長(cháng)度
|
12.7 cm
|
23.5 cm
|
24.6 cm
|
30 cm
|
39 cm
|
|
直徑
|
13.5 cm
|
19.1 cm
|
24.6 cm
|
41 cm
|
59 cm
|
|
中和器
|
LFN 2000
|
上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專(zhuān)利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò )方式:
上海伯東: 羅**生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究!
[誠信檔案]
