考夫曼離子源創(chuàng )始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年代考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器). 1969年美國航空航天學(xué)會(huì ) AIAA 授予他 James H. Wyld 推進(jìn)獎, 1970年考夫曼推進(jìn)器贏(yíng)得了IR 100 (前身研發(fā)100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務(wù)獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創(chuàng )立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡(jiǎn)稱(chēng) KRI, 研發(fā)生產(chǎn)商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業(yè),真空系統設備商和研究機構提供**進(jìn)的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源主要產(chǎn)品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無(wú)柵極離子源和柵極離子源, 類(lèi)型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計超過(guò) 25種規格, **累積銷(xiāo)售 3500+ 臺!
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)規格:
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型號
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge 陽(yáng)極
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
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長(cháng)度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直徑
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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考夫曼離子源 KDC 系列技術(shù)規格:
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型號
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KDC 10
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KDC 40
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KDC 75
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KDC 100
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KDC 160
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Discharge 陽(yáng)極
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DC 電流
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DC 電流
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DC 電流
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DC 電流
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DC 電流
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離子束流
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>10 mA
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>100 mA
|
>250 mA
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>400 mA
|
>650 mA
|
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
|
100-1200 V
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100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
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柵極直徑
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1 cm Φ
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4 cm Φ
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7.5 cm Φ
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12 cm Φ
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16 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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1-5 sccm
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2-10 sccm
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2-15 sccm
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2-20 sccm
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2-30 sccm
|
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通氣
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型壓力
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
|
長(cháng)度
|
11.5 cm
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17.1 cm
|
20.1 cm
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23.5 cm
|
25.2 cm
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直徑
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4 cm
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9 cm
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14 cm
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19.4 cm
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23.2 cm
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中和器
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燈絲
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霍爾離子源 eH 系列技術(shù)規格:
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型號
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eH 400
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eH 1000
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eH1000 xO2
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eH 2000
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eH 3000
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Cathode/Neutralizer
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F or HC
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F or HC
|
F or HC
|
F or HC
HC
HC
|
HC
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陽(yáng)極電壓
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50-300V
30-150V
|
50-300V
30-150V
50-300V
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100-300V
|
50-300V
30-150V
50-250V
|
50-250V
50-300V
50-250V
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電流
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5A
10A
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10A
12A
5A
|
10A
|
10A
15A
15A
|
20A
10A
15A
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散射角度
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>45
|
>45
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>45
|
>45
|
>45
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氣體流量
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2-25sccm
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2-50sccm
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2-50sccm
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2-75sccm
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5-100sccm
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高度
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3.0“
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4.0“
|
4.0“
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4.0“
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6.0“
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直徑
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3.7“
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5.7“
|
5.7“
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5.7“
|
9.7“
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水冷
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可選
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可選
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可選
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是
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可選
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KRI 離子源主要應用
作為一種新興的材料加工技術(shù), 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.
離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內, 對樣品進(jìn)行預清洗和輔助鍍膜
離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內, 對樣品進(jìn)行預清洗和濺射鍍膜
在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
測試結果
--------- 使用其他品**離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------
從上圖可以清楚看出, 使用其他品**離子源, 樣品存在崩邊的問(wèn)題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無(wú)崩邊
多項專(zhuān)利
美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專(zhuān)利, 在此**域中, KRI 離子源是公認的, KRI 團隊成員撰寫(xiě)了超過(guò) 100篇文章, 出版物, 書(shū)籍和技術(shù)論文,為推進(jìn)寬波束設備和材料加工**域行業(yè)的知識體系做出貢獻!
上海伯東是美國考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司離子源已廣泛應用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射時(shí)靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶(hù)濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò )方式:
上海伯東: 羅**生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
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