考夫曼離子源創始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年代考夫曼博士發明了電子轟擊離子推進器并以他的名字命名(考夫曼推進器). 1969年美國航空航天學會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進獎, 1970年考夫曼推進器贏得了IR 100 (前身研發100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發生產商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業,真空系統設備商和研究機構提供**進的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源主要產品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計超過 25種規格, **累積銷售 3500+ 臺!
射頻離子源 RFICP 系列技術規格:
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型號 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
|
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
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考夫曼離子源 KDC 系列技術規格:
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型號 |
KDC 10 |
KDC 40 |
KDC 75 |
KDC 100 |
KDC 160 |
|
Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
|
離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
|
直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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霍爾離子源 eH 系列技術規格:
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型號 |
eH 400 |
eH 1000 |
eH1000 xO2 |
eH 2000 |
eH 3000 |
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Cathode/Neutralizer |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
HC |
|
陽極電壓 |
50-300V |
50-300V |
100-300V |
50-300V |
50-250V |
|
電流 |
5A |
10A |
10A |
10A |
20A |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
氣體流量 |
2-25sccm |
2-50sccm |
2-50sccm |
2-75sccm |
5-100sccm |
|
高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
|
直徑 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
|
水冷 |
可選 |
可選 |
可選 |
是 |
可選 |
KRI 離子源主要應用
作為一種新興的材料加工技術, 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應用于真空環境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.
離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內, 對樣品進行預清洗和輔助鍍膜
離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內, 對樣品進行預清洗和濺射鍍膜
在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
測試結果
--------- 使用其他品**離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------
從上圖可以清楚看出, 使用其他品**離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊
多項專利
美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利, 在此**域中, KRI 離子源是公認的, KRI 團隊成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術論文,為推進寬波束設備和材料加工**域行業的知識體系做出貢獻!
上海伯東是美國考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司離子源已廣泛應用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射時靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 羅**生 臺灣伯東: 王女士
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