上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源應用于磁控共濺鍍設備 Co-sputter 實(shí)現高質(zhì)量的復合式薄膜!
磁控共濺鍍主要用于復合金屬或復合材料, 通過(guò)分別**化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來(lái)控制薄膜質(zhì)量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時(shí)間.
特殊系統設計的磁控共濺鍍腔提供了精準控制多個(gè)磁控濺鍍的制程條件, 為客戶(hù)提供更好質(zhì)量的復合式薄膜.

濺鍍腔中, 有單片和多片式的 loading chamber, 可節省其制程腔體的抽氣時(shí)間, 進(jìn)而節省整體實(shí)驗時(shí)間.

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通過(guò)使用上海伯東 KRI 離子源可實(shí)現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺部分可**立施打偏壓, 對其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著(zhù)性等功能.

上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專(zhuān)利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

 

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