KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸**小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創新的柵極技術用于研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, **化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束
4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:
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型號 |
RFICP 40 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
4 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用**域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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