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詳細信息

品牌：
KRI
發(fā)貨期限：
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所在地：
上海

KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸**小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創(chuàng )新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開(kāi)發(fā)應用. 離子源 RFICP 40 無(wú)需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時(shí)的工業(yè)應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 120 mA.

射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無(wú)需電離燈絲, 通過(guò)射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時(shí)間更長(cháng).
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡(jiǎn)單; 基座可調節, **化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動(dòng)調節技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術(shù)參數:

型號	RFICP 40
Discharge 陽(yáng)極	RF 射頻
離子束流	>100 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(cháng)度	12.7 cm
直徑	13.5 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用**域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜 ) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng )立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專(zhuān)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東: 羅**生                               臺灣伯東: 王女士
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有效期至：	長(cháng)期有效
最后更新：	2023-04-20 09:24
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