KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
|
陽極 |
電感耦合等離子體 |
|
**大陽極功率 |
>1kW |
|
**大離子束流 |
> 1000mA |
|
電壓范圍 |
100-1200V |
|
離子束動能 |
100-1200eV |
|
氣體 |
Ar, O2, N2, 其他 |
|
流量 |
5-50 sccm |
|
壓力 |
< 0.5mTorr |
|
離子光學, 自對準 |
OptiBeamTM |
|
離子束柵極 |
22cm Φ |
|
柵極材質 |
鉬 |
|
離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
|
中和器 |
LFN 2000, MHC 1000 |
|
高度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
|
鎖緊安裝法蘭 |
10”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用**域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
射頻離子源 RFICP 220 集成于半導體設備, 實現 8寸芯片蝕刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等**域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.