AR251全極高靈敏度低電壓霍爾開(kāi)關(guān)
霍爾元件AR251是基于CMOS工藝設計和生產(chǎn)的霍爾IC，元件內部集成了霍爾效應片、電壓調節器、休眠喚醒控制電路、信號放大濾波電路、偏移補償電路、施密特觸發(fā)器，互補推挽輸出。它是一種雙磁極性磁感應開(kāi)關(guān)，能夠感應到磁體的N極和S極的磁場(chǎng)強度，AR251通過(guò)周期性休眠和喚醒工作，達到降低功耗的作用。，喚醒期間檢測環(huán)境磁場(chǎng)強度，休眠狀態(tài)保持**后輸出狀態(tài)。
霍爾磁性開(kāi)關(guān)AR251有TSOT-23、TO-92S，超小超薄DFN封裝，適合用于越來(lái)越輕薄的便攜移動(dòng)設備中，所有封裝都符合RoSH環(huán)保標準。低功耗，IDD=5uA
等同敏感N和S極
微功耗，IDD=5uA
工作電壓：1.65-5.5V
互補推挽輸出
靈敏度溫漂小
高靈敏度
無(wú)鉛封裝：SOT-23/TSOT-23/TO-92/DFN
霍爾元件應用霍爾效應的半導體。
所謂霍爾效應，是指磁場(chǎng)作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時(shí)，產(chǎn)生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學(xué)家霍爾發(fā)現的。當電流通過(guò)金屬箔片時(shí)，若在垂直于電流的方向施加磁場(chǎng)，則金屬箔片兩側面會(huì )出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在特定溫度以下將呈現極強的霍爾效應。
利用霍爾效應可以設計制成多種傳感器�；魻栯娢徊頤H的基本關(guān)系為:
UH=RHIB/d （1） RH=1/nq（金屬） （2）
式中 RH――霍爾系數；n――單位體積內載流子或自由電子的個(gè)數；q――電子電量；I――通過(guò)的電流；B――垂直于I的磁強度；d――導體的厚度。
對于半導體和鐵磁金屬，霍爾系數表達式和式（2）不同，此處從略。
由于通電導線(xiàn)周?chē)嬖诖艌?chǎng)，其大小和導線(xiàn)中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場(chǎng)，就可確定導線(xiàn)電流的大小。利用這一原理可以設計制成霍爾電流傳感器。其**點(diǎn)是不和被測電路發(fā)生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合于大電流傳感。
若把霍爾元件置于電場(chǎng)強度為E、磁場(chǎng)強度為H的電磁場(chǎng)中，則在該元件中將產(chǎn)生電流I，元件上同時(shí)產(chǎn)生的霍爾電位差和電場(chǎng)強度E成正比，如果再測出該電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強度，則電磁場(chǎng)的功率密度瞬時(shí)值P可由P=EH確定。
利用這種方法可以構成霍爾功率傳感器。
如果把霍爾元件集成的開(kāi)關(guān)按預定位置有規律地布置在物體上，當裝在運動(dòng)物體上的永磁體經(jīng)過(guò)它時(shí)，可以從測量電路上測得脈沖信號。根據脈沖信號列可以傳感出該運動(dòng)物體的位移。若測出單位時(shí)間內發(fā)出的脈沖數，則可以確定其運動(dòng)速度。
